TPS73201QDRBRQ1 TI • مؤهل لتطبيقات السيارات • مؤهل AEC-Q100 بالنتائج التالية - درجة حرارة الجهاز 0: -40 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية نطاق درجة حرارة التشغيل المحيطة - تصنيف الجهاز HBM المستوى 2 - مستوى تصنيف CDM للجهاز C4B - مستوى تصنيف MM للجهاز M2 • مستقر بدون مكثف إخراج أو أي قيمة أو نوع من المكثفات • نطاق جهد الإدخال: 1.7 فولت إلى 5.5 فولت • جهد تسرب منخفض للغاية: 40 مللي فولت نموذجي عند 250 مللي أمبير • استجابة عابرة ممتازة للحمل - مع أو بدون مكثف إخراج اختياري • توفر طوبولوجيا NMOS الجديدة تسريبا عكسيا منخفضا التيار • ضوضاء منخفضة: 30 ميكرو في الثانية نموذجي (10 كيلو هرتز إلى 100 كيلو هرتز) • دقة أولية 0.5٪ • دقة إجمالية 1٪ (الخط والحمل ودرجة الحرارة) • أقل من 1-μA الحد الأقصى لمعدل الذكاء في وضع إيقاف التشغيل • الاغلاق الحراري و الحد الأدنى والحد الأقصى المحدد لحماية حد التيار • متوفر في إصدارات جهد خرج متعددة - مخرجات ثابتة تبلغ 1.2 فولت و 1.5 فولت و 1.6 فولت و 1.8 فولت و 2.5 فولت و 3 فولت و 3.3 فولت و 5 فولت - مخرجات قابلة للتعديل من 1.2 فولت إلى 5.5 فولت - المخرجات المخصصة المتاحة 2 تطبيقات • معدات محمولة وتعمل بالبطارية • التنظيم اللاحق لتبديل الإمدادات • الدوائر الحساسة للضوضاء مثل VCOs • نقطة التحميل تنظيم DSPs و FPGAs و ASICs و Microprocessors 3 الوصف تستخدم عائلة TPS732-Q1 من منظمات الجهد منخفضة التسرب (LDO) طوبولوجيا جديدة: عنصر تمرير NMOS في متابع الجهد تكوين. هذه المخطط مستقرة باستخدام مكثفات الإخراج ذات ESR المنخفض ، بل وتسمح بالتشغيل بدون مكثف. توفر المخطط أيضا انسدادا عكسيا عاليا (تيار عكسي منخفض) وتيار دبوس أرضي ثابت تقريبا على جميع قيم تيار الإخراج. تستخدم عائلة أجهزة TPS732-Q1 عملية BiCMOS متقدمة للحصول على دقة عالية مع توفير جهد منخفض للتسرب وتيار دبوس أرضي منخفض. يكون الاستهلاك الحالي، عند عدم تمكينه، أقل من 1 ميكرو أمبير ومثالي للتطبيقات المحمولة. تعد ضوضاء الإخراج المنخفضة للغاية (30 μVRMS مع 0.1 ميكرو فهرنهايت CNR) مثالية لتشغيل VCOs. هذه الأجهزة محمية عن طريق الاغلاق الحراري وحد التيار القابل للطي.