NTMFS4D2N10MDT1G TERUSKAN
Tersedia |
NTMFS4D2N10MDT1G TERUSKAN
• Teknologi MOSFET Pintu Terlindung
• RDS rendah (on) untuk meminimumkan kerugian pengaliran
• QG dan Kapasitansi Rendah untuk Meminimumkan Kerugian Pemandu
• QRR rendah, diod badan pemulihan lembut
• QOSS rendah untuk meningkatkan kecekapan beban ringan
• Peranti ini adalah Bebas Pb, Bebas Halogen/Bebas BFR, Bebas Berilium dan Mematuhi RoHS
• Teknologi MOSFET Pintu Terlindung
• RDS rendah (on) untuk meminimumkan kerugian pengaliran
• QG dan Kapasitansi Rendah untuk Meminimumkan Kerugian Pemandu
• QRR rendah, diod badan pemulihan lembut
• QOSS rendah untuk meningkatkan kecekapan beban ringan
• Peranti ini adalah Bebas Pb, Bebas Halogen/Bebas BFR, Bebas Berilium dan Mematuhi RoHS
Sila pastikan maklumat hubungan anda betul. Anda mesej akan dihantar terus kepada penerima dan tidak akan dipaparkan secara terbuka. Kami tidak akan mengedarkan atau menjual anda Peribadi maklumat kepada pihak ketiga tanpa kebenaran nyata anda.