NCP51510MNTAG PADA
| Tersedia |
NCP51510MNTAG PADA
• Menjana Voltan Penamatan Memori DDR (VTT)
• Untuk DDR, DDR−2, DDR−3 dan DDR−4 Sumber / Arus Sinki
• Menyokong Beban Sehingga ±3 A (Taip), Output Dilindungi Arus Berlebihan
• MOSFET bersepadu dengan Perlindungan Penutupan Terma
• Beban Pantas - Tindak Balas Sementara
• Pin keluaran PGOOD untuk memantau status peraturan keluaran VTT
• Pin Input SS untuk mod Tutup Gantung
• Rujukan Input VRI untuk Penjejakan Voltan Fleksibel
• Input VTTS untuk Penderiaan Jauh (Sambungan Kelvin)
• Terbina dalam Soft−Start, Di Bawah Voltage Lockout
• Kecil, Profil Rendah 10-pin, Pakej DFN 3 x 3 mm
• NCV51510MWTAG − Pilihan Sayap Boleh Basah untuk Pemeriksaan Optik yang Dipertingkatkan
• Awalan NCV untuk Automotif dan aplikasi lain yang memerlukan keperluan perubahan tapak dan kawalan yang unik; AEC−Q100 Berkelayakan dan Berkeupayaan PPAP*
• Ini ialah Peranti Bebas Pb
• Menjana Voltan Penamatan Memori DDR (VTT)
• Untuk DDR, DDR−2, DDR−3 dan DDR−4 Sumber / Arus Sinki
• Menyokong Beban Sehingga ±3 A (Taip), Output Dilindungi Arus Berlebihan
• MOSFET bersepadu dengan Perlindungan Penutupan Terma
• Beban Pantas - Tindak Balas Sementara
• Pin keluaran PGOOD untuk memantau status peraturan keluaran VTT
• Pin Input SS untuk mod Tutup Gantung
• Rujukan Input VRI untuk Penjejakan Voltan Fleksibel
• Input VTTS untuk Penderiaan Jauh (Sambungan Kelvin)
• Terbina dalam Soft−Start, Di Bawah Voltage Lockout
• Kecil, Profil Rendah 10-pin, Pakej DFN 3 x 3 mm
• NCV51510MWTAG − Pilihan Sayap Boleh Basah untuk Pemeriksaan Optik yang Dipertingkatkan
• Awalan NCV untuk Automotif dan aplikasi lain yang memerlukan keperluan perubahan tapak dan kawalan yang unik; AEC−Q100 Berkelayakan dan Berkeupayaan PPAP*
• Ini ialah Peranti Bebas Pb
Sila pastikan maklumat hubungan anda betul. Anda mesej akan dihantar terus kepada penerima dan tidak akan dipaparkan secara terbuka. Kami tidak akan mengedarkan atau menjual anda Peribadi maklumat kepada pihak ketiga tanpa kebenaran nyata anda.
