MasterGaN1 ST

MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST

MasterGaN1 ST

Tersedia
Hantar pertanyaan
');*/ }); })
Maklumat produk
Siasatan
MasterGaN1 ST
 
  • Sistem dalam pakej 600 V yang menyepadukan pemacu pintu separuh jambatan dan transistor GaN kuasa voltan tinggi:
    • Pakej QFN 9 x 9 x 1 mm
    • RDS(HIDUP)= 150 mΩ
    • SayaDS(MAKS)= 10 A
  • Keupayaan arus terbalik
  • Kehilangan pemulihan terbalik sifar
  • Perlindungan UVLO pada bahagian rendah dan tinggi
  • Diod bootstrap dalaman
  • Fungsi saling mengunci
  • Pin khusus untuk fungsi penutupan
  • Padanan masa dalaman yang tepat
  • Input serasi 3.3 V hingga 15 V dengan histeresis dan tarik ke bawah
  • Perlindungan suhu berlebihan
  • Bil pengurangan bahan
  • Susun atur yang sangat padat dan dipermudahkan
  • Reka bentuk yang fleksibel, mudah dan pantas.


 
"); });

Petua untuk mendapatkan sebut harga yang tepat daripada pembekal. Tolong Sertakan berikut dalam pertanyaan anda:
1. Maklumat peribadi atau perniagaan
2. Sediakan permintaan produk dengan terperinci
3. Pertanyaan untuk MOQ, Harga Unit, dan lain-lain

Sila pastikan maklumat hubungan anda betul. Anda mesej akan dihantar terus kepada penerima dan tidak akan dipaparkan secara terbuka. Kami tidak akan mengedarkan atau menjual anda Peribadi maklumat kepada pihak ketiga tanpa kebenaran nyata anda.

Produk yang berkaitan