IMBG65R048M1H Infineon

IMBG65R048M1H Infineon
IMBG65R048M1H INFINEON
IMBG65R048M1H INFINEON
IMBG65R048M1H INFINEON
IMBG65R048M1H INFINEON

IMBG65R048M1H INFINEON

Tersedia
Hantar pertanyaan
');*/ }); })
Maklumat produk
Siasatan
IMBG65R048M1H INFINEON

• Tingkah laku penukaran yang dioptimumkan pada arus yang lebih tinggi
• CommutationfastbodydiodewithlowQf
• Kebolehpercayaan Superiorgateoxide
• Tj, maks = 175 °C dan tingkah laku terma yang sangat baik
• Turunkan RDS (hidup) dan arus nadi bergantung pada suhu
• Peningkatan keupayaan runtuhan salji
• Serasi dengan pemandu standard (disyorkan pemanduantage: 0V-18V)
• Kelvinsource menyediakansupto4timeslowerswitchinglosses
"); });

Petua untuk mendapatkan sebut harga yang tepat daripada pembekal. Tolong Sertakan berikut dalam pertanyaan anda:
1. Maklumat peribadi atau perniagaan
2. Sediakan permintaan produk dengan terperinci
3. Pertanyaan untuk MOQ, Harga Unit, dan lain-lain

Sila pastikan maklumat hubungan anda betul. Anda mesej akan dihantar terus kepada penerima dan tidak akan dipaparkan secara terbuka. Kami tidak akan mengedarkan atau menjual anda Peribadi maklumat kepada pihak ketiga tanpa kebenaran nyata anda.

Produk yang berkaitan