FDD86250 TERUSKAN

FDD86250 ON
FDD86250 ON
FDD86250 ON
FDD86250 ON
FDD86250 ON

FDD86250 TERUSKAN

Tersedia
Hantar pertanyaan
');*/ }); })
Maklumat produk
Siasatan
FDD86250 TERUSKAN
Ciri
Teknologi MOSFET Pintu Terlindung
Max rDs(on)= 22 mo pada Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m pada Vcs = 6 V, lp=6.5A100% UIL diuji
Mematuhi RoHS
Penerangan Umum
MOSFET N-Channel ini dihasilkan _ menggunakan FairchildSemiconductorsproses PowerTrench canggih yang menggabungkan teknologi Shielded Gate. Proses ini telah dioptimumkan untuk rintangan pada keadaan namun mengekalkan prestasi penukaran yang unggul.
"); });

Petua untuk mendapatkan sebut harga yang tepat daripada pembekal. Tolong Sertakan berikut dalam pertanyaan anda:
1. Maklumat peribadi atau perniagaan
2. Sediakan permintaan produk dengan terperinci
3. Pertanyaan untuk MOQ, Harga Unit, dan lain-lain

Sila pastikan maklumat hubungan anda betul. Anda mesej akan dihantar terus kepada penerima dan tidak akan dipaparkan secara terbuka. Kami tidak akan mengedarkan atau menjual anda Peribadi maklumat kepada pihak ketiga tanpa kebenaran nyata anda.

Produk yang berkaitan